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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10
10
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
2
150 C
6.5 V
Bottom : 6.0 V
o
10
25 C
10
-55 C
1
1
o
o
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.12
0.10
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
0.08
V GS = 10V
10
1
150 ℃
25 ℃
0.06
V GS = 20V
※ Notes :
*Note : T J = 25 C
10
0.04
0
25
50
75 100
I D , Drain Current [A]
125
150
o
175
0
0.2
0.4
0.6
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.8
Figure 5. Capacitance Characteristics
12
Figure 6. Gate Charge Characteristics
8000
6000
4000
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
6
V DS = 50V
V DS = 125V
V DS = 200V
4
2000
C rss
※ Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 59A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA59N25 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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